Команда исследовала свойства тонкопленочных транзисторов (TFT), которые обычно используются в маломощных, низкочастотных устройствах типа дисплеев мониторов. Прогресс ученых по улучшению их производительности спотыкался о трудности создания новых материалов или слишком медленное улучшение уже существующих.
Ученые Университета Алабамы решили подойти к задаче с другой стороны. Вместо создания нового материала, они разработали конструкцию нового транзистора, который использует не один переносчик заряда, а электрон и отсутствие электрона (т.н. «дыры») для создания электрического сигнала.
Размеры устройства можно легко изменять, улучшая производительность и сохраняя миниатюрный размер. В результате получился «самый производительный TFT-транзистор в своем роде, — говорит соавтор работы, профессор Кен Кедьен. — Этот тип устройства ограничен только некристаллической структурой материала, из которого он сделан».
Следующая цель команды, после получения патента на изобретение — испытание транзистора «в полностью гибкой среде, и применение этого устройства в таких областях, как биомедицина или возобновляемая энергия», говорит ведущий автор работы Джем Шоут.