Полупроводник, созданный из олова и кислорода, или одноокиси олова (SnO), — это слой двухмерного материала толщиной всего в атом. Его конструкция позволяет электрическим зарядам проходить быстрее, чем через обычные трехмерные материалы вроде кремния.
Преимущество двухмерных материалов, исследования в области которых начались всего 5 лет назад, в том, что материалы созданы из одного слоя атомов, следовательно, «атом может двигаться только на одном уровне, поэтому перемещается гораздо быстрее», — говорит руководитель группы исследователей, профессор Ашутош Тивари.
Открытие Тивари и его команды ведет к производству транзисторов еще меньшего размера, чем сейчас. Процессор компьютера состоит из миллиарда транзисторов, и чем больше их на микросхеме, тем более мощным может стать компьютер.