По данным ТАСС, это сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния. Их толщина — 2,5 нанометра. Структуры из этого материала совместимы с кремниевой технологией, а потому можно ожидать, что на основе кремния могут быть созданы новые устройства энергонезависимой памяти с использованием сегнетоэлектрических поликристаллических слоев оксида гафния.
Сегодня объем хранимых и обрабатываемых данных в мире удваивается каждые 1,5 года. И требуется память, которая сможет хранить информацию вне зависимости от электропитания. Идеальной бы была «универсальная» память. Она обладает быстротой оперативной памяти, вместимостью жесткого диска и энергонезависимостью флешки. Одним из самых перспективных считается подход сегнетоэлектрических туннельных переходов.
Он не проводит электрический ток, но при очень малых толщинах сегнетоэлектрического слоя электроны все же могут через него проходить, благодаря туннельному эффекту, имеющему квантовую природу. Таким образом, запись информации в памяти производится подачей напряжения на электроды, примыкающие к сверхтонкому сегнетоэлектрику, а считывание — измерением туннельного тока.
Эта технология может обладать низким энергопотреблением, высокой скоростью записи, считывания и плотностью, но до настоящего момента все изготовленные прототипы устройств на основе традиционных сегнетоэлектриков были несовместимы с кремниевой технологией, которая используется для производства большинства современных микросхем.
Весной начнутся продажи сверхбыстрых карт памяти
Технологии
Исследователям из МФТИ удалось экспериментально продемонстрировать, что сплавные поликристаллические пленки оксидов гафния и циркония толщиной всего 2,5 нанометра обладают нужными сегнетоэлектрическими свойствами. Они вырастили сверхтонкую, туннельно-прозрачную пленку этого вещества на кремниевой подложке, сохранив при этом его сегнетоэлектрические свойства. Причём для получения этой плёнки они использовали метод, который активно применяется в производстве современных микропроцессоров. Теперь ученые говорят о создании на основе нового материала энергонезависимой компьютерной памяти.