В современной электротехнике используется оксид индия-олова (ITO), поскольку сочетает оптическую прозрачность с электропроводностью, и применяется в целом ряде устройств, от сенсорных экранов смартфонов до солнечных панелей. Однако, индий редкий металл, и вместе с ростом спроса на технологии растет и его цена.
Более доступной альтернативой ITO оказался оксид цинка легированный алюминием, который, однако, по эффективности уступает ITO. Чтобы решить эту проблему, профессор Хусам Альшариф и его коллеги применили технологию отложения атомного слоя, в процессе которой схема создается на одном слое атомов за раз с помощью летучих паров алюминия и цинка в форме триметилалюминия и диэтилцинка.
Созданы прозрачные и гибкие наносхемы для электроники
Идеи
Для многих электронных устройств ключевым элементом является транзистор на тонкой пленке. Будучи собраны в большом количестве, они позволяют компьютерам проводить вычисления и выступать в качестве активных сенсоров. Альшариф использовал прозрачный материал оксид гафния, зажатый между двумя слоями оксида цинка, чтобы создать крайне стабильный транзистор.
«Свойства наших транзисторов самые лучшие среди известных на сегодня полностью прозрачных транзисторов с контактами из оксида цинка легированного алюминием», — сказал участник проекта Цзэнвэй Ван.
Еще одним достижением команды Альшарифа является то, что отложение атомного слоя требует температуры всего 160 градусов, что позволяет наносить слои на пластиковые субстраты и на твердое стекло, пишет EurekaAlert.