По сравнению с 14-нм технологией производительность увеличится на 27%, а потребление энергии снизится на 40%. Кроме того, новый процесс позволит умещать на одной плате на 30% больше микросхем. Компания использует технологию так называемого «тройного построения», когда узоры цепи рисуются на плате до резьбы, но делается это трижды ради точности — необходимого условия при изготовлении микросхем такого маленького размера.
Ранее Samsung уже сообщала, что будет использовать 10-нанометровый техпроцесс в производстве инновационных микрочипов Snapdragon 830 для Qualcomm, и станет единственным их производителем. Эти процессоры будут задействованы в половине смартфонов нового поколения Samsung Galaxy S, которые должны появиться в продаже в начале 2017 года.
В электронной промышленности при производстве полупроводников применяются разные технологические процессы, нацеленные на повышение плотности размещения элементов на микросхеме. Чем меньше размер ячейки памяти, тем выше плотность. В настоящее время самые маленькие транзисторы производства Intel, лидера рынка полупроводников, имеют длину 14 нанометров. Компания планирует перейти на 10 нм в конце 2017, сообщает Rambler News.
Британский парламент призвал готовить школьников к конкуренции с ИИ
Мнения
В конце сентября южнокорейская компания представила еще одну инновацию: самые быстрые SSD-накопители в мире в форм-факторе М.2, предназначенные для ультратонких ноутбуков и ПК. Скорость чтения самой скоростной модели достигает 3,5 Гбайт/с, записи — 2,1 Гбайт/с.