Компания разрабатывает NRAM, энергонезависимую память, способную хранить данные при отсутствии электрического питания, которую можно использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках и ПК, а также в транспортной промышленности и производстве. Эта технология способна заменить флэш-память и энергозависимую полупроводниковую память с произвольным доступом (DRAM). В будущем Nantero рассчитывает хранить на одном чипе терабайты данных.
Углеродные нанотрубки, состоящие из одного из самых прочных материалов, известных человеку, обладают уникальными структурными и электрическими свойствами, которые позволяют создавать сверхбыструю и емкую память. Трубки диаметром 1/50 000 от диаметра человеческого волоса в 50 раз прочнее стали.
Температурные свойства и электропроводимость этого вида памяти также превосходят другие материалы. Чипы NRAM стоят недорого, они могут считывать или записывать данные примерно в 100 раз быстрее, чем флэш-память, и примерно с той же скоростью, что и DRAM, но без необходимости электропитания.
Amazon Go: оффлайн-магазин без очередей, продавцов и касс
Идеи
Однако главная сложность состоит в том, чтобы добиться массового производства и высокой плотности записи.
У Nantero сейчас более дюжины партнеров и клиентов компаний, занимающихся производством потребительской электроники, системами корпоративного уровня и полупроводников. Новое вливание средств позволит ей быстрее вывести свою продукцию на рынок и привлечь новых клиентов, пишет VentureBeat.
«Эти инвестиции обеспечат Nantero быстрый темп разработки продукции, особенно многогигабайтных запоминающих устройств, совместимых с DDR4, — говорит Дэвид Полтак, управляющий директор Globespan Capital Partners, одного из вкладчиков. — У Nantero есть несколько клиентов, лидеров индустрии, которые хотели бы поскорее получить NRAM. Тот факт, что некоторые из них решили сами инвестировать в экосистему, является четким признаком доверия, возникшего за годы сотрудничества, к компании и ее продукту».
Австралийские школьники синтезировали лекарство от ВИЧ и малярии
Кейсы
Новый тип энергонезависимой памяти разработали ученые МФТИ — это сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния с сегнетоэлектрическими свойствами.