Ирландские ученые напечатали транзисторы из 2D-наноматериалов

«Мы уверены, что наноматериалы могут соперничать с теми, которые используются для печати электроники сегодня. По сравнению с ними, наши двухмерные наноматериалы могут стать основой более экономичных и производительных электронных устройств», — говорит профессор Джонатан Колеман. Под его руководством команда использовала стандартную технологию печати, соединив графеновые нанолисты в качестве электродов с двумя другими наноматериалами — селенидом вольфрама и нитридом бора.

Работа ирландских ученых важна еще и потому, что показывает возможность сочетания в одном комплексном устройстве проводящих, полупроводящих и изолирующих двухмерных материалов.

Печатная электроника развивалась последние 30 лет на основе технологии печати углеродных молекул, которые легко превращаются в чернила. Эти чернила, однако, недостаточно стабильны и обладают ограничениями в производительности. Для того чтобы обойти затруднения, было испробовано несколько других материалов, например, углеродные нанотрубки или неорганические наночастицы, но и у них есть недостатки либо в эффективности, либо в процессе производства. Хотя производительность печатных двухмерных устройств не может пока сравниться с передовыми транзисторами, ученые убеждены, что эта технология обладает серьезными преимуществами.

Печать двухмерных наноматериалов основана на запатентованном методе профессора Колемана. В нем используются практически плоские наночастицы в несколько нанометров толщиной и сотни нанометров шириной. Они должны быть созданы из различных материалов со свойствами проводимости, полупроводимости и непроводимости. Поскольку двухмерный материал профессора Колемана производится в жидкой форме, из него легко сделать чернила, а процесс печати электроники обходится очень дешево, пишет Phys.org.

Недавно команда канадских и немецких ученых продемонстрировала возможность самосборки транзисторов из углеродных нанотрубок. Ученым потребовалось 10 лет, чтобы добиться обманчиво простого результата: самособранного транзистора с почти 100% чистотой и очень высокой подвижностью электронов.