«Волшебный материал» заменит кремний в транзисторах

Ученые обнаружили, что сочетание полупроводящих сферических молекул углерода C60 с расположенными слоями графеном и гексагональным нитридом бора (h-BN), дает уникальный результат в виде нового материала, способного совершить революцию в производстве электронных устройств.

Благодаря тому, что h-BN обеспечивает стабильность, электронную совместимость и изоляцию слою графена, C60 оказывается способен трансформировать солнечный свет в электричество. Любое устройство, сделанное на основе этого соединения, будет обладать уникальными свойствами, которых не существует в природе.

«Наше открытие показало, что новый „волшебный материал“ обладает схожими физическими свойствами с кремнием, но лучшей химической стабильностью, гибкостью и меньшим весом. Его можно использовать в умных устройствах, которые вряд ли сломаются», — говорит один из авторов разработки Элтон Сантос. Кроме того, электроника, созданная из нового материала, будет потреблять меньше энергии.

Кое-что в этом «волшебном» материале все-таки требует улучшения. Например, то, что в графене и новой архитектуре материала отсутствует энергетическая щель, ключевая для операций вкл./выкл., выполняемых электронными устройствами. Но у Сантоса и его коллег уже есть потенциальное решение — дихалькогениды переходных металлов, энергетическая щель которых равна кремниевой.

Таким образом, у ученых появилась реальная возможность создания принципиально нового вида транзистора, сообщает Phys.org.

О создании еще одного материала для электроники нового поколения сообщили ученые Национальной лаборатории Беркли и Корнелльского университета. Они успешно соединили ферроэлектрические и ферромагнитные материалы таким образом, чтобы их ориентацией можно было управлять с помощью небольших электрических полей при почти комнатной температуре.