Кейсы

Создана магниторезистивная память с четырьмя состояниями

Далее

Ученые МТИ и Высшей технической школы Цюриха, открывшие два года назад новый магниторезистивный эффект, нашли для него применение в создании компьютерной памяти с четырьмя стабильными магнитными состояниями, позволяющей хранить четыре бита информации в одной магнитной структуре.

Магниторезистивный эффект известен с 1850-х годов, когда Уильям Томсон показал, что приложение магнитного поля к металлическому объекту повышает его электрическую сопротивляемость в одном направлении и понижает ее в перпендикулярном направлении. С тех пор было обнаружено несколько других типов магнитного сопротивления. В частности, в 2015 году ученые открыли еще один магниторезистивный эффект — однонаправленное спиновое магнитосопротивление Холла. Оно отличается от других видов этого эффекта тем, что изменение сопротивления зависит от направления либо намагничивания, либо электрического тока.

Ранее этот эффект демонстрировался в двухслойных структурах, состоящих из одного немагнитного и одного намагниченного слоя. Но добавив еще один магнитный слой, исследователи добились большого потенциала для памяти — способности различать не два, а четыре магнитных состояния. Затем ученые показали действие четырех уровней сопротивления, соответствующих четырем состояниям намагничивания. Это открывает путь к новому типу более емкой памяти. Кроме того, они уверены, что возможно добиться восьми магнитных состояний, у каждого из которых будет свой уровень сопротивления, пишет Phys.org.

Воздействие анестезии на мозг было пересмотрено

Запоминающее устройство из углеродных нанотрубок разрабатывает компания Nantero. Они обладают уникальными структурными и электрическими свойствами, которые позволяют создавать сверхбыструю и емкую память. Температурные свойства и электропроводимость этого вида памяти также превосходят другие материалы.

Загрузка...