Samsung представила терабитные чипы V-NAND для коммерческих SSD

Компания Samsung заявила о создании терабитного чипа V-NAND, который будет использоваться в SSD-картах в 2018 году, пишет Zdnet.

Samsung планирует упаковывать 16-терабитные матрицы для одного пакета V-NAND с объемом памяти 2 терабайта, заявила компания на конференции Flash Memory Summit в Сан-Франциско. Использование пакетов значительно увеличит объем памяти твердотельных накопителей (SDD). Samsung также анонсировала SSD следующего поколения с низким форм-фактором (NGSFF), который заменит текущий стандарт M.2.

Сейчас компания тестирует твердотельный накопитель NGSFF объемом 16 Тб. Благодаря своим размерам (30,5 мм x 110 мм х 4,38 мм) он позволяет в четыре раза увеличить объем памяти сервера, расположенном на стойке высотой 1 юнит (44,45 мм), использующего M.2 или NGFF. Это позволит центрам обработки данных (ЦОД) эффективнее использовать пространство и масштабировать процессы.

Компания привела в пример сервер емкостью 576 Тб на стеллаже высотой один юнит, который собран из 36 16-терабайтовых NGSFF SSD-карт. На стеллаже высотой два юнита, емкость сервера увеличиться до петабайта (1000 терабайт).

Toyota выпустит первый в мире электромобиль с твердотельной батареей

SSD NGSFF поступит в производство в четвертом квартале 2017 года и завершит стандартизацию JEDEC в первом квартале 2018 года.

Samsung также представила SZ985, SSD-накопитель, который использует технологию Z-SSD, предназначенную для ЦОДов и корпоративных систем, для обработки больших данных в реальном времени и высокопроизводительного кэширования серверов. Время ожидания такого накопителя — 15 микросекунд, что в семь раз меньше накопителя NVME SSD.

Наконец, корейская компания объявила о создании новой технологии Key Value SSD, которая в отличие от обычных процессов, когда данные упаковываются в блоки, назначает специальные ключи для конкретных адресов данных. Это позволяет напрямую обращаться к данным и ускоряет все процессы.

Facebook отключила ИИ после того, как он разработал собственный язык

Samsung инвестирует $18 млрд в крупнейшую фабрику по производству флэш-памяти 3D V-NAND в южнокорейском городе Пхентхэк. Новые производственные линии позволят обеспечить потребности крупных клиентов — дата-центров и лабораторий, занимающихся большими данными, ИИ, интернетом вещей и транспортом.

Подписывайтесь
на наши каналы в Telegram

«Хайтек»новостионлайн

«Хайтек»Dailyновости 3 раза в день

Первая полоса
Ученые предостерегают от создания зеркальных бактерий: они угрожают жизни
Наука
Астрономы наблюдали редкий гамма-всплеск от черной дыры в соседней галактики
Космос
Физики нашли странную частицу: ее масса то возникает, то исчезает
Наука
Генетики выяснили, когда неандертальцы скрещивались с современными людьми
Наука
В Google оценили риски для криптографии с появлением квантового чипа Willow
Новости
На звездах, подобных Солнцу, супервспышки происходят чаще, чем считалось
Космос
Google Play закрывает монетизацию для разработчиков из России
Новости
НАСА установило причины «первой авиакатастрофы на Марсе»
Космос
Университетский стартап из Грозного разработал VR-тренажер для хоккеистов
Новости
Микророботы из гидрогеля уменьшили раковые опухоли у мышей
Наука
Форум по робототехнике для школьников и студентов пройдет в Иннополисе
Иннополис
В пещере «первых Homo sapience Евразии» обнаружили ритуальную комнату
Наука
Эксперты обсудили путь от замещения импорта к технологическому лидерству
Наука
В ранней Вселенной нашли галактику, напоминающую юный Млечный Путь
Космос
Материал с МКС лучше земных аналогов активирует восстановление костей
Космос
Болото вместо степи: выяснили, каким был мост между Евразией и Америкой
Наука
Горбатый кит в поисках партнера пересек три океана и проплыл 13 000 км
Наука
Химики создали суперустойчивые кишечные палочки для промышленности
Наука
В IBM придумали как в пять раз быстрее обучать ИИ и экономить энергию
Новости
«Т-Технологии» бесплатно предоставит разработчикам российские модели ИИ
Новости