На Международном симпозиуме по микроархитектуре специалисты МТИ, Intel и Швейцарской высшей технической школы представили новую схему управления кэш-памятью, которая повышает скорость передачи данных в DRAM на 33% – 50%.
Память DRAM, в отличие от более быстрой, сложной и дорогой SRAM, способна только передавать запрошенные данные. У нее может быть большая пропускная способность, но процесс передачи метаданных расходует ее полностью. Сяняо Юй и его коллеги смогли избежать передачи всех этих метаданных с помощью небольшого изменения систему управления памятью, существующей во всех современных микрочипах.
Любая программа, которая выполняется на компьютерном чипе, должна управлять собственной памятью. Обычно удобно позволять программе действовать так, как будто у нее есть свой отдельный банк памяти. Но на самом деле на одном и том же чипе обычно разом выполняются несколько программ, и все посылают данные в основную память одновременно. Так что в каждом процессоре обычно есть таблица, в которой указаны виртуальные адреса, которые используют отдельные программы для того, чтобы обращаться к данным, сохраненным в основной памяти.
Система Banshee, разработанная Юем, добавляет три бита данных к каждой записи в таблице. Один бит указывает на то, можно ли найти данные по этому виртуальному адресу в кэше DRAM, а два других определяют место относительно любых других элементов данных в тем же хэш-индексом. Это позволяет снизить трафик метаданных в DRAM и избежать лишнего расхода пропускной способности, сообщает MIT News.
Ученые поняли, как организм сам способен подавлять онкологию
Кейсы
Весной компания Intel объявила о создании нового типа памяти на энергонезависимой технологии 3D XPoint для использования в дата-центрах. Optane можно использовать и как оперативную память. Задержка и пропускная способность будут ниже, чем у DRAM, но плотность выше, а цена значительно ниже.