Команда инженеров Техасского университета в Остине в сотрудничестве с учеными из Университета Пекина разработали самое тонкое запоминающее устройство толщиной в один атом.
«Долгое время считалось, что создать запоминающие устройства из материалов всего в один атом толщиной невозможно, — говорит профессор Деджи Акинванде, один из участников проекта. — Наши новые „атомристоры“ доказали, что это на самом деле возможно».
Туманное будущее солнечной энергетики: три главных препятствия
Мнения
Атомристоры (термин образован по аналогии с мемристорами, от англ. resistor), созданные из двухмерных наноматериалов, позволят продолжить исполнение закона Мура на системном уровне, соединяя в одном чипе память и транзистор. До сих пор накопители и транзисторы были отдельными компонентами микрочипа.
В качестве электродов в атомристорах используются металлические листы в один атом толщиной, в качестве активного слоя — полупроводящие слои сульфида молибдена. Толщина всей ячейки памяти составляет 1,5 нм, что позволяет наслаивать их друг на друга. В этом их превосходство над обычной флэш-памятью, которая требует большего пространства. Вдобавок, такая толщина обеспечивает более быстрое и эффективное движение тока.
Принимая во внимание размер, объем и интеграционную гибкость атомристоров, из них можно будет создавать архитектуру памяти с трехмерными связями, напоминающими структуру мозга. Также их можно будет применять в смартфонах и других мобильных устройствах в качестве радиочастотных переключателей, не потребляющих энергию аккумуляторов, пишет EurekAlert. «Это открытие обладает высокой значимостью с точки зрения коммерциализации, так как не разрушает существующих технологий», — говорит Акинванде.
«Через 7 лет в России исчезнут медсестры, юристы и маркетологи»
Мнения
Транзистор из графеновых нанолент создали специалисты швейцарской лаборатории Empa. Для этого они вырастили ленты в 9 атомов шириной и интегрировали их в нанотранзисторы, заменив диэлектрический слой оксида кремния на оксид гафния.