Технологии 5 мая 2018

Новая разработка с магнитным полем поможет увеличить память устройств

Далее

Ученые из Американского института физики представили альтернативный подход к хранению информации. В журнале Applied Physics Letters представлены сразу несколько возможных вариантов его реализации — они основаны на магнитно-электрическом эффекте, который позволяет электрическому полю переключать магнитные свойства устройств

Одним из возможных решений является новый коммутационный элемент из хромия, который сможет использоваться в памяти компьютера и флэш-накопителях. «У устройства есть хороший потенциал для масштабирования: его можно уменьшить, и он будет потреблять меньше энергии, как только мы его усовершенствуем», — отметила Рэндэлл Витора, исследователь из Университета Миннесоты и автор статьи.

Она отметила, что недостаток памяти компьютера, состоящего из переключающих элементов, которые хранят биты информации как единицы и нули, в том, что он может «переключаться» для записи данных только с помощью электрического поля, но для переключения требуется наличие статического магнитного поля. Основываясь на этой информации, ученые создали дизайн для устройства с сердечником, которое не требует использования внешнего магнитного поля.

Разработана компьютерная память молекулярного уровня

По задумке, конструкция будет окружена магнитным материалом. Это обеспечит эффективное и постоянное магнитное поле, позволяя размещать содержание устройства таким образом, чтобы блокировать рассеянные магнитные поля от воздействия на соседние устройства. К тому же, память можно сделать более миниатюрной.

«DRAM — огромный рынок, который обеспечивает память для компьютеров, но проблема в том, что он потребляет много заряда», — отметила Витория. «DRAM также нестабильна, поэтому информация исчезает, как только источник питания прерывается, например, когда компьютерный сбой стирает несохраненный документ. Наше устройство будет энергостабильным».

Разработчики отмечают, что, несмотря на то, что они уверены в потенциальной эффективности своей разработки, его совершенствование займет годы. Одной из проблем, которую предстоит преодолеть — теплостойкость устройства, которое перестает функционировать при 30 градусах по Цельсию. Ученые планируют оптимизировать материалы, из которого состоит девайс, чтобы улучшить его функционал.