Инженеры из Национального университета Сингапура разработали новое спинтронное запоминающее устройство, работающее на основе ферримагнитного элемента. Разработка в десять раз стабильнее и в 20 раз эффективнее аналогов, работающих на ферромагнетиках, пишет Nature Materials.
Отличие ферримагнетиков от ферромагнетиков состоит в том, что первые имеют высокое значение удельного сопротивления, меньшую величину индукции насыщения и более сложную температурную зависимость индукции.
Исследователи использовали ферримагнетики для повышения стабильности и эффективности спинтронных запоминающих устройств — приборов, в которых информация кодируется и хранится не в зарядах электронов, как в обычной электронике, а в их спинах.
Наше открытие может предоставить новую платформу для устройств в спинтронной промышленности, которая сейчас страдает от нестабильности и проблем с масштабированием из-за тонких магнитных элементов, которые в ней используются. Между ферро- и ферримагнетизмом существует огромная разница — представьте эффективность езды на автомобиле по восьмиполосному шоссе по сравнению с ездой на велосипеде по узкой дороге. Тогда как ферромагнетик похож на улочку для электронного спина, ферримагнетик же — широкая автострада, где спин основной информации может преодолевать очень большие расстояния.
Университет Сингапура
В ближайшее время ученые намерены заключить контракт с производителем спинтронных запоминающих устройств и коммерциализировать технологию.