Исследователи Новосибирского государственного университета (НГУ) создали новый материал для перспективных элементов памяти. Разработка поможет создать альтернативу флеш-памяти с более быстрым и долговечным механизмом перезаписи.
Флеш-память (USB-накопители, твердотельные диски) уже достигла предела своих возможностей: дальнейшее увеличение скорости, ёмкости и ресурса невозможно в рамках существующих технологий. Учёные НГУ предложили решение — использование мемристоров.
«Мемристоры могут увеличивать количество циклов перезаписи в разы. Кроме того, их скорость работы выше: если у флеш-памяти один цикл длится микросекунды, то у мемристоров — наносекунды или даже пикосекунды», — объяснил младший научный сотрудник лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники НГУ Иван Юшков.
Основу разработки составили германо-силикатные стёкла — смесь оксидов кремния и германия. Эти материалы ранее исследовали отдельно, но новосибирские учёные впервые совместили их свойства и обнаружили в них мемристорный эффект («эффект памяти»).
Открытие имеет не только практическую ценность, но и теоретическую: теперь исследователи смогут рассчитывать параметры мемристоров без необходимости выращивать их наноструктуры. В перспективе это ускорит создание новых, более эффективных элементов памяти.
Читать далее:
Вселенная внутри черной дыры: наблюдения «Уэбба» подтверждают странную гипотезу
Испытания ракеты Starship Илона Маска вновь закончились взрывом в небе
Сразу четыре похожих на Землю планеты нашли у ближайшей одиночной звезды
Обложка: AI | freepik
