Японская Kioxia и американская SanDisk готовят 3D QLC NAND с плотностью 37,6 Гбит/мм² — это почти 4,7 Гбайт на квадратный миллиметр. Новые чипы позволят размещать до 8 Тбайт на кристалл и предложат скорость записи более 85 Мбайт/с.
На Международной конференции по твердотельным схемам ISSCC инженеры Kioxia и SanDisk представят чипы BiCS10 QLC в 332-слойном исполнении. Они хранят по 4 бита на ячейку и обеспечивают плотность 37,6 Гбит/мм².
Для сравнения, предыдущие чипы TLC BiCS10 давали плотность 29,1 Гбит/мм², а BiCS8 QLC достигала 2 Тбит на кристалл. Новая BiCS10 QLC сможет разместить до 8 Тбайт на кристалл, что делает её соперником SK hynix V9 QLC, хотя точных данных о плотности у корейского производителя нет.
Шестиуровневая архитектура BiCS10 QLC позволит достигать скорости записи более 85 Мбайт/с. Это ниже, чем у TLC-версии BiCS10, но выше, чем 75 Мбайт/с у V9 QLC SK hynix.
Kioxia и SanDisk расширяют число слоёв с 218 у BiCS8 до 332, чтобы конкурировать с будущей Samsung V10, которая планирует 400 слоёв и скорость интерфейса 5,6 Гбит/с для TLC.
Читать далее:
Вселенная внутри черной дыры: наблюдения «Уэбба» подтверждают странную гипотезу
Испытания ракеты Starship Илона Маска вновь закончились взрывом в небе
Сразу четыре похожих на Землю планеты нашли у ближайшей одиночной звезды
Обложка: freepik
