Samsung представила экспериментальный тип флеш-памяти, который работает на низких напряжениях и сохраняет высокую плотность хранения.
Инженеры Samsung объединили две технологии, которые отдельно развивались последние два десятилетия: сегнетоэлектрические транзисторы и оксидные полупроводники. В результате они получили архитектуру, способную работать при напряжениях всего 4–6 В, тогда как обычная NAND-память требует 15–20 В. Такое уменьшение нагрузки резко снижает энергопотребление.
В основе разработки — транзистор FeFET с диэлектриком из легированного цирконием оксида гафния (HfZrO) и каналом из IGZO — того же материала, который производители дисплеев используют для панелей с низким энергопотреблением.
Несмотря на экспериментальный статус проекта, Samsung уже демонстрирует ключевые параметры новой памяти. Архитектура выдерживает более 100 тысяч циклов записи, держит данные более 10 лет и поддерживает до 5 бит на ячейку. По расчётам компании, энергозатраты на операцию записи или стирания снижаются на 96% по сравнению с 3D NAND.
Важная особенность — совместимость с текущими CMOS-процессами. Это означает, что технология подходит для вертикальной компоновки и может масштабироваться без потери характеристик — длина канала остаётся всего 25 нм.
Samsung рассчитывает, что такие решения лягут в основу энергоэффективной памяти для смартфонов, носимых устройств, IoT-систем и дата-центров. Для крупных инфраструктурных площадок это может дать заметную экономию и уменьшить энергопотребление вычислительных кластеров. Разработку создали вместе с австралийскими учёными и описали в журнале Nature.
Читать далее:
Вселенная внутри черной дыры: наблюдения «Уэбба» подтверждают странную гипотезу
Испытания ракеты Starship Илона Маска вновь закончились взрывом в небе
Сразу четыре похожих на Землю планеты нашли у ближайшей одиночной звезды
Обложка: freepik
