Инженеры Технологического института Джорджии построили сегнетоэлектрическую NAND-память на оксиде гафния. Радиационная стойкость в 30 раз выше, чем у обычной флеш-памяти, — до одного миллиона рад.
Исследователи из Технологического института Джорджии разработали новый тип NAND-памяти, которая хранит данные не в виде электрического заряда, а за счёт постоянной поляризации сегнетоэлектрического материала. Основой стал оксид гафния — совместимое с кремнием соединение, у которого сегнетоэлектрические свойства обнаружили около 15 лет назад.
Обычная флеш-память записывает информацию, захватывая заряд. Космическая радиация разрушает именно его. Новая архитектура обходит это ограничение: поляризация материала сохраняется без внешнего воздействия, и высокоэнергетические частицы не могут её сбить.
Испытания показали: память держит до одного миллиона рад. Для контекста — спутникам на низкой орбите хватает защиты в 5–30 тыс. рад, на геостационаре — 100–300 тыс. рад. Дальний космос требует как раз миллиона рад.
Разработчики рассчитывают, что память ляжет в основу вычислительных систем для будущих межпланетных миссий. Чем дальше аппарат уходит от Земли, тем больше ему приходится полагаться на собственные мощности и хранилища, особенно с ростом роли ИИ на борту. Новая NAND-память даёт и терабитные объёмы, и надёжность в самых жёстких условиях.
Результаты исследования опубликовал журнал Nano Letters.
Читать далее:
Вселенная внутри черной дыры: наблюдения «Уэбба» подтверждают странную гипотезу
Испытания ракеты Starship Илона Маска вновь закончились взрывом в небе
Сразу четыре похожих на Землю планеты нашли у ближайшей одиночной звезды
Обложка: Nano Banana
