Группа ученых под руководством профессора Александра Баландина использовала полупроводниковую нанопроволоку из арсенида галлия (GaAs), синтезированную в Финляндии, и технологию рассеяния Мандельштама — Бриллюэна, чтобы изучить движение фононов через наноструктуру кристалла. Изменяя размер и форму наноструктур GaAs, они смогли изменить энергетический спектр, или дисперсию акустических фононов, пишет Phys.org.
Управление дисперсией фононов — важный механизм отведения тепла из электронных наноустройств. С его помощью можно продолжить уменьшать размер микрочипов, а также повысить эффективность выработки термоэлектрической энергии, говорит профессор Баландин.
«Долгие годы единственным методом изменения термальной проводимости наноструктур было рассеяние акустических фононов с наноструктурными границами и стыками. Мы экспериментально показали, что при пространственном ограничении акустических фононов можно изменить их скорость и способ взаимодействия с электронами, магнонами и тем, как они переносят тепло. Наша работа открывает новые возможности для настройки термальных и электронных свойств полупроводниковых материалов», — рассказал ученый.
Адэр Тернер: «Технологии подрывают капитализм»
Мнения
Микроэлектронику можно создавать и без полупроводников. Это доказали ученые из Калифорнийского университета в Сан-Диего, которые заменили полупроводники свободными электронами в пространстве.