Мнения 14 января 2017

«Ваш следующий смартфон может стать углеродной формой жизни»

Далее

Аналитическое агентство BBC Research считает, что технология энергонезависимой памяти, основанная на углеродных нанотрубках, будет запущена в массовое производство уже в 2018 году.

«Редко можно увидеть технологию, которая взлетает после стольких лет разработки, но NRAM кажется именно такой, — говорит главный редактор BBC Research Кевин Фитцжеральд. — На самом деле, ваш следующий смартфон может стать углеродной формой жизни».

В докладе долгий путь NRAM — энергонезависимой памяти — к рынку сравнивается с противостоянием Давида и Голиафа, за тем исключением, что в случае с NRAM Давиду на помощь пришел один из оружейников Голиафа. В августе компания Fujistu Semiconductor Ltd. стала первым производителем, который объявил о запуске массового производства энергонезависимой памяти в конце 2018 года.

Смартфон Н2 оборудован молекулярным сканером

По мнению BBC Research, NRAM обладает потенциалом для массовой кастомизации, то есть микрочип может быть адаптирован для множества специфических задач. Это позволит создавать дешевые автономные сенсоры для интернета вещей, а также память для смартфонов, микросхемы для самоуправляемых автомобилей и даже наушники, в которых хранятся музыкальные записи.

В докладе BBC Research говорится, что рынок нано-RAM ожидает увеличение совокупного годового темпа роста на 62,5% между 2018 и 2023 годом. В целом рынок этой технология вырастет с $4,7 млн в 2018 до $217,6 млн в 2023 году.

Энергонезависимая память, изобретенная еще в 2001 году компанией Nantero, Inc., обладает производительностью в 1000 раз большей, чем у современного стандарта компьютерной памяти DRAM, но при этом не перестает работать при отключении подачи электричества, пишет Computerworld.

10 трендов четвертой промышленной революции в 2017 году

Один из конкурентов NRAM — технология магнитнорезистивной оперативной памяти (MRAM), над разработкой которой трудится IBM. Летом прошлого года компания объявила о создании устройства в 100 тысяч раз более быстрого, чем флэш-память NAND, и не подверженного износу.