Технологии

Western Digital и Toshiba разработают 3D NAND-чип на 512 Гб

Далее

64-слойный 3D NAND-чип станет результатом совместной работы Western Digital и Toshiba. В отличие от стандартных чипов 2D NAND, новая разработка будет иметь объем памяти 512 Гб.

Western Digital начала производство 3D NAND-чипа в Йоккаичи, Япония. В ячейках памяти этого чипа может храниться три бита данных, которые распределены по 64 слоям. Это обеспечивает 512 Гб емкости для запоминающего устройства, пишет Digital Trends.

Чип станет результатом совместной работы Western Digital и Toshiba. Ожидается, что он поступит в массовое производство во второй половине 2017 года.

Western Digital и Toshiba впервые заговорили о 3D NAND-чипе в июле прошлого года. Технология называется BiCS3 и отличается от стандартного чипа 2D NAND. В 2D NAND запоминающие ячейки распределены горизонтально, тогда как в 3D NAND они расположены по слоям. Это дает возможность увеличить объем хранения данных.

Обитатели Кремниевой долины готовятся к концу света

Toshiba построит завод в Йоккаичи, чтобы расширить свое производство. Он будет экологически чистым и устойчивым к землетрясениям. Первая фаза строительства завершится не ранее лета 2018 года.

Летом прошлого года Toshiba представила чип, объемом 256 Гб, новая же модель будет иметь емкость 512 Гб. Это увеличит возможности устройств, которые работают на основе флэш-памяти — смартфонов, планшетов, дисков, USB-накопителей.

В столице Исландии построят оазисы на геотермальной энергии

Тем временем IBM в партнерстве с Samsung работают над созданием энергонезависимого оперативного запоминающего устройства, в 100 тысяч раз более быстрого, чем флэш-память NAND. Перед этим Samsung выпустила карты памяти на 256 Гб со скоростью чтения 530 Мб/с.

Загрузка...