Компания Samsung заявила о создании терабитного чипа V-NAND, который будет использоваться в SSD-картах в 2018 году, пишет Zdnet.
Samsung планирует упаковывать 16-терабитные матрицы для одного пакета V-NAND с объемом памяти 2 терабайта, заявила компания на конференции Flash Memory Summit в Сан-Франциско. Использование пакетов значительно увеличит объем памяти твердотельных накопителей (SDD). Samsung также анонсировала SSD следующего поколения с низким форм-фактором (NGSFF), который заменит текущий стандарт M.2.
Сейчас компания тестирует твердотельный накопитель NGSFF объемом 16 Тб. Благодаря своим размерам (30,5 мм x 110 мм х 4,38 мм) он позволяет в четыре раза увеличить объем памяти сервера, расположенном на стойке высотой 1 юнит (44,45 мм), использующего M.2 или NGFF. Это позволит центрам обработки данных (ЦОД) эффективнее использовать пространство и масштабировать процессы.
Компания привела в пример сервер емкостью 576 Тб на стеллаже высотой один юнит, который собран из 36 16-терабайтовых NGSFF SSD-карт. На стеллаже высотой два юнита, емкость сервера увеличиться до петабайта (1000 терабайт).
Toyota выпустит первый в мире электромобиль с твердотельной батареей
Технологии
SSD NGSFF поступит в производство в четвертом квартале 2017 года и завершит стандартизацию JEDEC в первом квартале 2018 года.
Samsung также представила SZ985, SSD-накопитель, который использует технологию Z-SSD, предназначенную для ЦОДов и корпоративных систем, для обработки больших данных в реальном времени и высокопроизводительного кэширования серверов. Время ожидания такого накопителя — 15 микросекунд, что в семь раз меньше накопителя NVME SSD.
Наконец, корейская компания объявила о создании новой технологии Key Value SSD, которая в отличие от обычных процессов, когда данные упаковываются в блоки, назначает специальные ключи для конкретных адресов данных. Это позволяет напрямую обращаться к данным и ускоряет все процессы.
Facebook отключила ИИ после того, как он разработал собственный язык
Кейсы
Samsung инвестирует $18 млрд в крупнейшую фабрику по производству флэш-памяти 3D V-NAND в южнокорейском городе Пхентхэк. Новые производственные линии позволят обеспечить потребности крупных клиентов — дата-центров и лабораторий, занимающихся большими данными, ИИ, интернетом вещей и транспортом.