Компания Micross, которая занимающаяся разработкой электроники, объявила о выпуске 1-гигабайтного компонента магниторезистивной ОЗУ (MRAM). Это во много раз более плотная магниторезистивная память, чем предлагалось ранее. Плотность размещения ячеек памяти STT-MRAM увеличили в 64 раза.
Как сообщает The Register, в основе микросхем STT-MRAM Micross лежит технология американской компании Avalanche Technology. Несмотря на то, что Samsung представила блок STT-MRAM ёмкостью 1 Гб, почти три года назад, заслугой Micross можно считать выпуск дискретной 1-Гб STT-MRAM, которую легко использовать в электронике вместо флеш-памяти NAND.
Память STT-MRAM работает в большем температурном диапазоне (от -40 °C до 125 °C). Её можно перезаписывать практически бесконечно. Также ей не страшна радиация и перепады температур. Это особенно пригодится в авиакосмической промышленности и её суровых условиях. Данные в ячейках хранятся до 10 лет.
The Register попросил Micross предоставить информацию о ценах на новые детали, но компания не ответила на время публикации статьи. Заинтересованные стороны могут связаться с компанией через веб-сайт компании.
Читать далее
Уникальный катер превращается в подлодку за две минуты и незаметен для противника
Физики охладили атомы до самой низкой в мире температуры
Самую детальную модель Вселенной опубликовали онлайн. Ее может изучить любой желающий