Инженеры из Токийского университета изготовили трехмерные полевые транзисторы вертикальной формы для создания устройств хранения данных. Новая система, по словам разработчиков, отличается высокой плотностью хранения данных и низким энергопотреблением.
Экспериментальная трехмерная многослойная ячейка памяти создана на основе вертикальных полевых транзисторов с оксидно-полупроводниковым каналом. Внутри канала исследователи нанесли слои оксида гафния (сегнетоэлектрик) и оксида индия (антисегнетоэлектрик).
Созданное устройство использует сегнетоэлектричество (спонтанную поляризацию в кристаллах) для хранения данных. Информация хранится по степени поляризации в сегнетоэлектрическом слое, которые могут быть считаны системой из-за изменений электрического сопротивления. Разработчики объясняют, что у сегнетоэлектриков есть электрические диполи, которые наиболее стабильны, когда выровнены в одном направлении. Оксид гафния обеспечивает спонтанное выравнивание диполей.
Исследователи говорят, что, используя антисегнетоэлектрик вместо сегнетоэлектрика, они обнаружили, что для стирания требуется лишь крошечный суммарный заряд, что повышает эффективность записи данных.
Авторы работы, представленной на конференции Института инженеров электротехники и электроники, сообщают, что созданное экспериментальное устройство стабильно работает в течение как минимум 1000 циклов записи.
Ученые полагают, что комбинация таких экспериментальных модулей поможет создать системы хранения данных с низким энергопотреблением для бытовой электроники Интернета вещей.
Читать далее
Японцы сбросили гигантскую турбину в океан, чтобы получать бесконечную энергию от течения
Частная ракета не смогла вывести на орбиту спутники НАСА для наблюдения за штормами