Учёные из Фуданьского университета в Китае показали прототип новой флеш-памяти, которая пишет данные с беспрецедентной скоростью — один бит за 400 пикосекунд. Это значит, что 100 мегабайт она записывает примерно за 0,32 секунды, а гигабайт — меньше чем за 3,3.
Разработку назвали PoX. Она использует графеновый канал с двумерной структурой Дирака и работает быстрее, чем самая быстрая оперативная память — DRAM и SRAM. Для сравнения: у них на запись одного бита уходит от 1 до 10 наносекунд.
PoX не требует питания для хранения данных, а значит, сочетает энергоэффективность обычной флешки с запредельной скоростью. По словам руководителя проекта Чжоу Пэна, продвинуть технологию помогли AI-алгоритмы, которые оптимизировали условия тестирования.
В будущем такую память могут встроить в системы, где важны и скорость, и энергонезависимость — например, в устройства на базе искусственного интеллекта, передает ТАСС со ссылкой на агентство Xinhua.
Читать далее:
Вселенная внутри черной дыры: наблюдения «Уэбба» подтверждают странную гипотезу
Испытания ракеты Starship Илона Маска вновь закончились взрывом в небе
Сразу четыре похожих на Землю планеты нашли у ближайшей одиночной звезды
Обложка: AI | nuraghies