Тайваньские физики экспериментально доказали возможность масштабирования металлических контактов в транзисторах нового поколения до рекордных двух-трех нанометров без потери их проводимости. Об этом сообщает «Хайтек» со ссылкой на исследование в журнале Nature.
Развитие систем искусственного интеллекта требует постоянного увеличения вычислительной мощности и плотности размещения элементов на кремниевых кристаллах. Однако традиционные полупроводниковые компоненты из кремния практически исчерпали свой физический потенциал миниатюризации. В качестве альтернативы инженеры рассматривают двумерные материалы толщиной всего в один атом, которые позволяют эффективнее управлять потоком электронов в сверхтонких каналах.
Главным препятствием для внедрения таких транзисторов оставалась неопределенность вокруг минимальных размеров металлических контактов, через которые ток подается в рабочую зону. Ключевым параметром здесь является длина переноса — минимальное расстояние, необходимое для полноценного перехода заряда из металла в двумерный полупроводник. Предыдущие теоретические модели предсказывали, что при уменьшении площади контакта ниже нескольких десятков или сотен нанометров возникнет критическая потеря производительности.
Группа исследователей из Национального университета Тайваня сумела напрямую измерить этот показатель с помощью метода сканирующей туннельной микроскопии. Физики вскрыли работающие транзисторы и с помощью сверхтонкой иглы-зонда зафиксировали распределение токов на стыке висмута и дисульфида молибдена. Реальная длина переноса составила всего 2–3 нанометра, что полностью снимает ограничения на радикальное уменьшение размеров контактных площадок и открывает путь к созданию коммерческих сверхплотных чипов.
Читать далее:
Вселенная внутри черной дыры: наблюдения «Уэбба» подтверждают странную гипотезу
Испытания ракеты Starship Илона Маска вновь закончились взрывом в небе
Сразу четыре похожих на Землю планеты нашли у ближайшей одиночной звезды
Обложка: magnific
