IBM в партнерстве с Samsung объявили о создании процесса производства энергонезависимого оперативного запоминающего устройства, в 100 тысяч раз более быстрого, чем флэш-память NAND, и не подверженного износу. Они задействовали технологии магнитных моментов для создания магнитнорезистивной оперативной памяти (MRAM), которая может использоваться при изготовлении сенсоров интернета вещей, носимых и мобильных устройств.
Флэш-память в среднем тратит 1 миллисекунду на то, чтобы записать данные, которые MRAM сохраняет за 10 наносекунд, то есть в 100 000 раз быстрее в записи и в 10 раз — в чтении, говорит Дэниэл Уорледж, старший менеджер в IBM Research.
«Мы не смогли бы этого добиться с намагниченностью в плоскости — такие устройства просто не сопоставимы, — объясняет он, имея в виду жесткие диски и флэшки. — Хотя требуется провести дополнительные исследования, индустрия имеет теперь достаточно оснований, чтобы двигаться вперед. Время магнитнорезистивной оперативной памяти пришло».
MRAM может быть использована для создания новых типов рабочей памяти в приложениях со сверхнизкой мощностью. Например, ее можно использовать в интернете вещей или мобильных устройствах, когда нужно сохранять информацию при почти полном отсутствии энергопитания.
По словам Уорледжа, новая MRAM едва ли вскоре заменит DRAM, но легко может прийти на смену флэш-памяти, поскольку ее проще встроить, она быстрее и способна к бесконечным циклам чтения и записи, пишет Computerworld.
Это не первое впечатляющее ускорение в компьютерных технологиях. Недавно Samsung выпустила карты памяти на 256 Гб со скоростью чтения 530 Мб/с.